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2N3867中文资料

2N3867图片

2N3867外观图

  • 大小:60.7KB
  • 厂家:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述:Silicon PNP Power Transistors
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:100 : ¥103.74620散装
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 250mA,2.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 1.5A,2V
  • 功率 - 最大值:1 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:TO-5

2N3867供应商

更新时间:2023-01-08 17:16:24
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